收藏本站
IRF7811WGPbF
2.0
I D = 15A
6.0
ID= 15A
VDS = 16V
1.5
4.0
1.0
2.0
0.5
V GS = 4.5V
0.0
-60 -40 -20 0 20  40  60  80 100 120 140 160
T J , Junction Temperature ( ° C)
0.0
0
4
8 12     16
QG, Total Gate Charge (nC)
20
24
Fig 1. Normalized On-Resistance
Vs. Temperature
Fig 2. Typical Gate Charge Vs.
Gate-to-Source Voltage
0.020
4000
VGS = 0V,   f = 1 MHZ
Ciss = Cgs + Cgd, Cds
SHORTED
Crss = Cgd
3000
Coss = Cds + Cgd
0.015
Ciss
2000
ID = 15A
0.010
1000
Coss
0.005
0
Crss
3.5
4.0
4.5
5.0
5.5
6.0
6.5
7.0
1
10
100
VGS, Gate -to -Source Voltage (V)
Fig 3. On-Resistance Vs. Gate Voltage
www.irf.com
VDS, Drain-to-Source Voltage (V)
Fig 4. Typical Capacitance Vs.
Drain-to-Source Voltage
3
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。

采购需求

(若只采购一条型号，填写一行即可)

发布成功！您可以继续发布采购。也可以进入我的后台，查看报价

发布成功！您可以继续发布采购。也可以进入我的后台，查看报价

*型号 *数量 厂商 批号 封装
添加更多采购

我的联系方式

*
*
*
相关PDF资料
IRF7834PBF MOSFET N-CH 30V 19A 8-SOIC
IRF820STRRPBF MOSFET N-CH 500V 2.5A D2PAK
IRF820 MOSFET N-CH 500V 2.5A TO-220AB
IRF840LPBF MOSFET N-CH 500V 8A TO-262
IRF840STRRPBF MOSFET N-CH 500V 8A D2PAK
IRF8714GPBF MOSFET N-CH 30V 14A 8-SOIC
IRF8721GTRPBF MOSFET N-CH 30V 14A 8-SOIC
IRF9204PBF MOSFET P-CH 40V 74A TO-220AB
相关代理商/技术参数
IRF7811WHR 制造商:International Rectifier 功能描述:Trans MOSFET N-CH 30V 14A 8-Pin SOIC 制造商:International Rectifier 功能描述:TRANS MOSFET N-CH 30V 14A 8SOIC - Rail/Tube
IRF7811WPBF 功能描述:MOSFET 30V 1 N-CH HEXFET 12mOhms 15.6nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IRF7811WTR 功能描述:MOSFET N-CH 30V 14A 8-SOIC RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:HEXFET® 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件
IRF7811WTRHR 制造商:International Rectifier 功能描述:Trans MOSFET N-CH 30V 14A 8-Pin SOIC T/R 制造商:International Rectifier 功能描述:TRANS MOSFET N-CH 30V 14A 8SOIC - Tape and Reel
IRF7811WTRPBF 功能描述:MOSFET MOSFT 30V 14A 12mOhm 15.6nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IRF7815PBF 功能描述:MOSFET 150V 1 N-CH HEXFET 43mOhms 25nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IRF7815TRPBF 功能描述:MOSFET MOSFT 150V 5A 44mOhm 25nC Qg RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IRF7820PBF 功能描述:MOSFET 200V, 3.7A, 78 mOhm 29 nC Qg, SO-8 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube